據半導體工程專家 Tom Wassick 所言，AMD Ryzen 7000 處理器似乎得到了一些升級，以便為為即將推出的 3D V-Cache 型號做準備。
AMD 在 Zen 3 處理器上推出了採用 3D V-Cache 技術的 Ryzen 7 5800X3D CPU，為 CPU 的每個 CCD 帶來額外的 64MB 7nm SRAM 快取，使 L3 Cache 容量由 32MB 大幅上升到 96MB。看來 AMD 在接下來的 Zen 4 架構仍然會選擇這麼做，
Wassick 在 Zen 4 CCD 中發現了更多的 TSV 列，這表明這次新款Ryzen 7000 處理器的 3D 快取型號在硬體上可以提供比 Ryzen 7 5800X3D 更多的頻寬。
矽穿孔（Through Silicon Vias，TSV）是一種穿透矽晶圓或晶片的垂直互連。TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律（Moore's Law）的互連技術，TSV可堆疊多片晶片，其設計概念來自於印刷電路板（PCB）, 在晶片鑽出小洞（製程又可分為先鑽孔及後鑽孔兩種, Via First, Via Last），從底部填充入金屬, 矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鑽孔（via），再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質填滿。此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能。
據稱，在 Ryzen 7000 晶片上有兩個更大、更密集的 TSV 陣列，並且有一些間距減小 —— 以及額外的 TSV 列。這意味著Ryzen 7000 3D V-Cache 的基板將與 CPU 有更多的接觸區域，導致更大的 L3 快取頻寬和可能的額外功率。
3D V-Cache 是 AMD 推出的一種堆疊 L3 快取的技術，通過在 Ryzen 的 CCD 上增加 64MB 的 SRAM 快取，從而將其晶片上的 L3 快取翻倍，進而顯著提高了那些對於 L3 快取敏感的工作負載的實際表現，尤其是遊戲。
AMD 目前發佈的唯一一款針對消費者的 3D V-Cache 晶片是 R7 5800X3D，該晶片共有 96MB 的 L3 快取。
對於上述Ryzen 7000 中額外的 TSV 觸點，這代表 AMD 正為其第二代堆疊快取準備更高的頻寬性能，甚至超過Ryzen R7 5800X3D 的 2Tbps 頻寬。
簡單來說，這些額外的 TSV 並不能代表 AMD 下一代 3D V-Cache 性能將如何，或者它一定比 5800X3D 或Ryzen 7000 普通型號好多少，只是有可能意味著Ryzen 7000X3D 將帶來比 7 5800X3D 更高的頻寬。
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